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[전자회로실험] NMOS 증폭기 결과

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작성일 19-06-03 21:48

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Download : [전자회로실험] NMOS 증폭기 결과.hwp





3) 출력 저항 구하기
→ ii = 0.008mA (rms) * =0.011mA
전자회로실험,NMOS 증폭기 결과







측정 하는 실험 이었다. 1) 전압 이득 구하기

오실로스코프의 프로브를 전용 프로브를 사용하지 않아서 처음에 파형이 나오지 않았고, 프로브에서 X1로 해야하는데 X10으로 놓고 했더니 파형이 나오질 않았다.

레포트 > 자연과학계열
-회로-

<공통 - 소스 증폭기>
실험.NMOS 증폭기 1.Orcad 결과 <공통 - 소스 증폭기> 1) 입력 및 출력 전압 파형 -회로-




4. 고찰
→ Av = Vo(peak) / Vi(peak) = 420 mV / 520 mV = 0.807 V
→ Vi = 520mV

2) 입력 저항 구하기
실험을 하면서 증폭기가 어디에 사용 되는지에 대상으로하여 배울 수 있던 좋은 경험이었다. 조교 선생님께 물어봐서 해결 할 수 있었다.

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→ it = 0.371mA (rms) * = 0.524mA
다.
[전자회로실험] NMOS 증폭기 결과
순서

→ Ro = Vt / it = 0.992Ω

1) 입력 및 출력 전압 파형

1.Orcad 결과
→ Ri = Vi / ii = 47.272kΩ
[전자회로실험] NMOS 증폭기 결과-6800_01_.jpg [전자회로실험] NMOS 증폭기 결과-6800_02_.jpg [전자회로실험] NMOS 증폭기 결과-6800_03_.jpg [전자회로실험] NMOS 증폭기 결과-6800_04_.jpg [전자회로실험] NMOS 증폭기 결과-6800_05_.jpg


NMOS 증폭기의 공통-소스 증폭기, 공통 - 게이트 증폭기, 공통 - 드레인 증폭기의 characteristic(특성)에 대한 입,출력 전압 파형 측정 및 입력 저항과 출력 저항을
설명
실험 할 당시에 회로를 꾸미고 오실로스코프로 파형을 측정하려고 할 때


증폭기의 characteristic(특성)에 따라서 증폭도의 차이가 다소 있음을 알 수 있었고 실험 값들이 理論(이론) 값에 비해 그리 크지 않은 차이를 나타내었다. 다음부터는 이런 실수를 하지 않을 것이다.

→ Vt = 520mV
실험.NMOS 증폭기
<공통 - 드레인 증폭기>
이번 실험은 NMOS 증폭기에 대한 실험이었다.
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